《表1 不同Sn4+掺杂量厚膜陶瓷BSn T在1 325℃时的相结构和晶格常数》

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《锡钛酸钡BaSn_xTi_(1–x)O_3厚膜陶瓷的大电卡效应》

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表1为通过Jade软件对XRD谱结构晶修得到的BSn T厚膜陶瓷的晶格常数。相应Ba Ti O3的晶格常数为a=0.398 8 nm，b=0.398 8 nm，c=0.400 2 nm，相应Ba Sn O3的晶格常数为a=0.411 6 nm，b=0.411 6 nm，c=0.411 6 nm，将Vigard定律运用到BSn T厚膜陶瓷的晶格参数与原子分数的关系中，通过对Sn元素的原子分数与晶格参数的关系进行计算，结果基本符合掺杂的比例成分，即Sn4+掺杂进入到了钙钛矿结构中。