《表1 本征与不同掺杂类型SnO超晶胞晶格常数的计算结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Al、In掺杂SnO半导体材料能带结构的理论计算》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

表1为本征SnO和不同掺杂Al/SnO、In/SnO以及（Al、In）/SnO超晶胞晶格常数的计算结果．数据显示，掺杂后，Al/SnO、In/SnO以及（Al、In）/SnO共掺杂半导体的晶格常数均小于本征SnO的对应值．对比发现，相比Al/SnO和（Al、In）/SnO的晶格常数，In/SnO的晶格常数更接近于本征SnO的晶格常数，两者的晶格常数仅相差1.78%．这是因替位掺杂后In3+的半径（0.062nm）更接近Sn4+（0.055nm）半径，所以在SnO晶格中掺杂In可减小SnO材料体系因掺杂导致的晶格畸变，降低晶格畸变产生的内应力，更有利于各类半导体异质结器件的制备[6]．