《表1 掺杂浓度、晶格常数和形成能参数》

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《Ce掺杂SnO_2的导电性及稳定性增强的第一性原理研究》

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式中：Etot（Snn-1CeOm）为掺Ce后SnO2的能量；Etot（Snn-1CeOm）为本征SnO2的能量；μsn、μce分别为Sn和Ce的化学势[22]。可以看出随着超胞的扩大，形成能在不断的减小，稳定性相对提高。