《表1 几何优化后的晶格参数,平均键长和杂质形成能》

《表1 几何优化后的晶格参数,平均键长和杂质形成能》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《对铜——氮共掺杂氧化锌的导电及光催化性质的研究》


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经几何优化后得到的纯氧化锌及掺杂氧化锌的晶格参数和平均键长如表1所示。计算得到的纯氧化锌晶格参数a=b=3.29,c/a=1.61与a=3.25,c/a=1.60[19]的测量值符合很好。这些结果表明我们的计算方法合理,模拟结果可靠。我们还得到了Cu,N和Cu+N掺杂的氧化锌的晶格参数,这些参数与纯氧化锌几乎相同。由表1可以看出,Cu、N和Cu+N掺杂的Zn O体系的Zn-O键长分别为2.002、2.002和2.006,与纯ZnO相比几乎没有变化。对于Cu掺杂和Cu+N掺杂体系的平均Cu-O键长以及N掺杂和Cu+N掺杂体系的Zn-N键长与纯Zn O的平均Zn-O键长相同。在纯Zn O体系中,Cu-N键长略大于Zn-O键长,这可以解释Cu+N掺杂后晶格参数变大的情况,但误差小于0.50%。