《表1 各模型的形成能、键布居与键长数据》
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《Ce/N共掺ZnO的电子结构和光学性质的理论研究》
注:Δγ为最大Zn—O键键长与最小Zn—O键键长之差.
键布居是一种可以用来分析化学键特性的常用参数，键布居数值越大，化学键共价特性越强.从表1中明显的看出:各掺杂体系的最大Zn—O键布居数变化不大，但所有掺杂体系的Zn—O键布居数均大于本征体系，其中掺N后的共价性增强的最为明显；最小Zn—O键布居数（除N单掺体系外）均小于本征体系，呈逐渐减小的趋势，说明其共价性逐渐变弱，也表示ZnO禁带宽度应该变小.
| 图表编号 | XD0058861800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.06.01 |
| 作者 | 赵璨、刘丹枫、刘桂安、雷博程、夏桐、黄以能、张丽丽 |
| 绘制单位 | 伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、南京大学物理学院国家固体微结构重点实验室、伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室、南京大学物理学院国家固体微结构重点实验室 |
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