《表1 Ge1–xInxTe晶格常数及晶胞体积》

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《Ge_(1–x)In_xTe微观结构对热电性能的影响》

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图1（a）为不同In掺杂量粉体样品的XRD图谱。当x=0.10时析出Ge第二相，其余样品的衍射峰均与GeTe标准卡片（PDF47-1079，R3m）相对应，表明粉体的纯度较高。为了进一步研究样品物相结构的差异，对GeTe的特征峰（024）、（220）[21]进行局部放大，可以看出随着In含量的增加，（220）衍射峰逐渐向低角度方向移动，而（024）衍射峰逐渐向高度角方向移动，由布拉格方程2dsinθ=nλ可知，（220）对应的晶面间距逐渐增大，（024）对应的晶面间距逐渐减小。因为In进入GeTe中占据Ge的位置，造成不同原子面发生了不同程度的畸变，产生了质量波动[11，13]，增强了对声子的散射作用，从而降低了晶格热导率。为了获得更加准确的晶格常数的变化规律，对XRD结果进行精修[22]，数据如表1所示，随着In含量的增加，晶格常数逐渐减小，造成晶胞体积减小。这是因为In的离子半径（0.062 nm）小于Ge的离子半径（0.073 nm）。图1（b）为烧结后块体样品的XRD图谱，可以看出仍为菱方结构的GeTe，未产生杂相，说明烧结过程没有改变样品的物相结构。