《表3 室温下Ge1–xInxTe的电学输运性能》

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《Ge_(1–x)In_xTe微观结构对热电性能的影响》

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图5（a）为Ge1–xInxTe的电导率（?）随温度的变化曲线。随着温度的升高，样品（除x=0.10外）的?逐渐下降，这是典型的简并半导体（重掺杂、窄带隙）的特征[21]。同时，随着In含量的增加，?逐渐下降，这是因为In逐渐取代了晶格中Ge的位置，使载流子浓度从1.632×1021下降到4.083×1020 cm–3（如表3所示），迁移率从35.31降低到5.521 cm2·V-1·s-1。此外，由于固溶度有限，随着In的增加，In原子进入晶格的难度增大，?的变化趋势逐渐趋于稳定。当x=0.10时，Ge原子以第二相的形式析出。这是因为In的电负性（1.78）小于Ge的电负性（2.01）[26]，Te优先与In结合，Ge的空位大量减少，使载流子的浓度急剧下降[18]。x=0.10时，?随温度升高逐渐增大，是因为Ge第二相对载流子的输运造成了阻碍，随着温度升高，第二相逐渐溶解，阻碍减弱，?增大。