《表3 不同MgO和Nb2O5添加量对碳化硅陶瓷的晶面衍射峰位和晶格常数》

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《Al_2O_3-MgO-Nb_2O_5助烧剂对SiC陶瓷性能的影响》

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此外，由图1结合表3可知，各样品的X射线衍射峰与纯SiC粉末特征峰相比，均向小角度方向有偏移不同配比下的Al2O3、MgO和Nb2O5添加量对碳化硅陶瓷的晶面衍射峰位和晶格常数，与SiC的晶面衍射峰位和晶格常数对比可知，由布拉格方程2dsinθ=nλ可以知，当晶面间距d增大时，θ角将会减小.各样品的（006）晶面衍射峰位均向小角度偏移，晶格常数增大，表明在烧结过程中烧结助剂中半径较大的Mg离子或Al离子进入SiC晶间相当中，会使晶面间距增大，从而衍射特征峰向小角度方向偏移.