《表1 不同处理状态下Cu的晶面间距》

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《铜基复合材料的电学性能分析》

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影响材料电导率变化的因素较多，结合XRD图谱分析对电导率的改变做进一步的分析说明。不同温度下退火处理后材料的XRD衍射峰的变化如图3所示。在不同退火温度下处理后材料XRD图谱的具体晶格参数如表1所示。观察表1数据可见，晶面间距随退火温度的增加而变小。在450℃下退火处理后，晶面间距较未退火之前的变化明显，而继续增加退火温度为550℃时，晶面间距未见明显变化，450℃和550℃对材料晶格畸变的影响较小，且此时氧化物的析出也较小。