《表1 晶界ID和与之对应的晶界类型》

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《高效多晶硅中Σ3晶界复合活性的研究》

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通常来说，Σ3晶界几乎不具有复合活性，是弱的复合中心，不阻碍少数载流子的扩散，从而具有低的EBIC衬度，不对多晶硅的电学性能造成影响。然而，当杂质偏析导致晶界形成深能级复合中心时[14]，Σ3晶界仍可能具有高的复合活性。采用EBSD和EBIC技术分别对孪晶上Σ3晶界和普通晶粒上的Σ3晶界开展研究工作，同时关注与Σ3晶界邻居的其他CSL晶界的复合特性。一个样品中的Σ3晶界的EBIC和EBSD检测结果如图1所示。在图1中，从左往右依次是Σ3晶界的SEM照片和300、200、100K下的EBIC以及EBSD检测图像。在EBSD检测图像中，晶界附近的数字标记是为了方便区分和统计它们的晶界类型。在EBIC图像中，根据EBIC衬度的变化，我们可以判断晶界上的复合活性。晶界类型分析结果见表1。