《表1 不同处理条件下J75合金的晶界特征分布统计》

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《抗氢合金J75中低∑CSL晶界的形成与演化》

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由表1可知，低∑CSL晶界比例随着退火时间呈不同变化。形变过程中，低层错能材料中的位错难以发生交滑移，导致位错积累而产生较大的应变能。退火过程中，各类晶界表现的变化和迁移规律是不同的。