《表1 CCTO在不同温度下晶粒和晶界的电阻》

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《溶胶-凝胶一步烧结法合成巨介电常数材料CaCu_3Ti_4O_(12)》

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阻抗谱是表征材料晶粒晶界电导性能的有力技术手段，CCTO的复阻抗谱如图7所示，通常，阻抗谱由两个半圆弧组成，通过等效电路拟合出来的半径值分别对应晶粒和晶界的电阻值，由于测试范围限制，图7所示只显示出了部分弧，基于CCTO的介电性能机理，可以模拟等效电路计算材料的晶粒和晶界的电学参数，图7插图是两个平行的RC等效电路，分别代表了晶粒和晶界的电阻、电容值，跟频率有关的阻抗谱可以依据等效电路模拟计算出CCTO的晶粒具有半导性，晶界具有绝缘性，计算出的电阻值如表1所示，可以看出随着测试温度的升高，晶粒和晶界的电阻值都呈现减小的趋势，室温下晶界具有绝缘性，这也是CCTO具有高的介电常数的重要原因之一。为进一步计算晶界的活化能，根据Arrhenius方程，材料的电导率与激活能存在如下关系：