《表2 近带边发射峰位和斯托克斯位移》

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《电沉积氧化锌纳米柱的带隙和近带边发射蓝移》

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图4给出了Zn O纳米柱的室温光致发光测试图谱。对于使用Zn（NO3）2基础电解液制备的Zn O纳米柱，近带边发射（Near band edge emission，简称NBE）峰位于369.8 nm （3.353 e V），发射峰的半高宽为18.9 nm。样品2～5的近带边发射峰半高宽分别为26.7 nm、24.3 nm、29.2、29.4 nm，发光峰半高宽大于样品1。对样品2～5的近带边发射峰进行拟合分析，结果列于图5及表2中。由图5可见，样品2～5的近带边发射均可拟合为NBE 1、NBE 2以及NBE 3三个发射峰。样品2的NBE 1峰位于361.9 nm（3.426 e V），发射峰半高宽22.1 nm。样品2中Zn O纳米柱阵列的NBE 1比样品1蓝移了73 me V。样品3～5的NBE 1分别位于367.4 nm （3.375 e V）、365.9 nm（3.389 e V）、364.0 nm （3.406 e V），半高宽分别为19.6 nm、22.2 nm、22.9 nm。与样品1相比，样品3～5的NBE 1分别蓝移22 me V、36 me V、53 me V，电解液中Ga（NO3）3浓度提高使Zn O纳米柱的NBE 1蓝移随之增大。