《表1 3d-TM原子掺杂Cd12O12纳米线平衡结构的物理量.a是体系的晶格常数，DTM-O是TM原子与其三个最近邻O原子之间的键长，Eb是结合能，Charge是TM原子与相邻O原子的电荷转移.》下

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《3d过渡金属掺杂对Cd_(12)O_(12)纳米线电子和磁性能的影响》

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表1中列出了3d-TM原子掺杂Cd12O12纳米线平衡状态下的结构参数、结合能及电荷转移.可以看出，掺杂会导致体系小的晶格畸变，掺杂体系的平衡晶格常数在15.04～15.25之间.TM原子到最临近的三个O原子的距离（TM-O）从1.95（Sc）减小到1.84（Ti）及1.80（Cr），然后增加到1.98（Mn）.各TM-O键长几乎保持一致，差异小于0.004，由此可以很好地保持TM原子在纳米线中的对称性.掺杂Sc、Ti、Cr和Mn原子时体系平衡晶格常数较未掺杂时明显减少，这与掺杂Sc、Ti、Cr和Mn原子与最近的O原子之间具有强的键合是一致的.从表1还可看出，随着掺杂元素原子序数的增加，掺杂体系结合能呈现单调递减的趋势，其中，最高的结合能为掺杂Sc和Ti的Cd12O12纳米线，其值分别为7.8 e V和7.77 e V；当Co、Cu和Zn掺杂时，体系结合能最少.此外，当掺杂Sc、Ti、Cr和Mn时，TM原子转移到O原子的电荷数量随着原子序数的增加而单调减少.较大的电荷转移对应于TM原子与最近的O原子之间较强的相互作用；而当掺杂Co、Cu和Zn时，TM原子与相邻的O原子之间有极少的电荷转移，说明TM与O原子之间的相互作用较弱.结合能和电荷转移都表明了掺杂Sc、Ti、Cr和Mn原子时，掺杂原子与最临近的O原子之间存在强的键合特征.