《表1 CTO500和CTO500-HMA的XPS谱的元素Cd、Sn、O、C的原子含量》
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《混合微波退火改性Cd_2SnO_4光阳极用于光电催化水氧化性能的研究》
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图4为CTO500和CTO500-HMA光阳极的高分辨XPS谱图。CTO500和CTO500-HMA样品表现出类似的XPS谱图,只出现Cd、Sn、O和C元素的特征峰。图4(a)和图4(b)分别为Cd 3d和Sn3d的高分辨率XPS谱图。由图4(a)和图4(b)可看出:Cd 3d5/2和Cd 3d3/2的峰值分别为404.91 e V和411.55 e V,Sn 3d5/2和Sn 3d3/2的峰值分别为486.53 e V和494.90 e V,CTO500-HMA的Cd 3d与Sn 3d的XPS特征峰相比CTO500的未发生偏移;Cd和Sn元素价态未发生变化,表明CTO500和CTO500-HMA表面均未生成Sn O2和Cd O[18-19]。图4(c)和图4(d)为CT0500和CTO500-HMA的O 1s的高分辨率XPS谱图,O 1s峰可由强度为529.00、530.22、531.41 e V和533.13 e V的4个峰组成,分别对应Cd―O、Sn―O、―OH、C―C[20]。CTO500-HMA的O 1s的结合能,相比CTO500的未发生明显偏移。峰强变化可归因于混合微波退火改性使CTO500-HMA光阳极表面物质状态发生变化,O元素原子含量发生改变[20],从而提升了CTO500-HMA光阳极的光电催化性能。各元素原子含量如表1所示。
图表编号 | XD00208239800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.12.01 |
作者 | 胡玉、王现英、徐京城 |
绘制单位 | 上海理工大学材料科学与工程学院、上海理工大学材料科学与工程学院、上海理工大学材料科学与工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |