《表5 XPS图谱中C和O的峰位置及其含量》

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《酸化氧化生物炭在含铀放射性废水处理中的应用研究》

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为了进一步探讨U（VI）的微观去除机理，我们采用XPS光谱技术对吸附U（VI）前后的CG和CG-AO进行了详细表征.从图6（a）中可以看出，在CG和CG-AO样品的谱图中可以观测到明显的C1s和O1s峰，而结合能为400 eV附近的峰为咖啡渣中少量的N，表明样品中主要成分是由C和O组成的，这与前面的推测一致.吸附U之后的样品CG-U和CG-AO-U在结合能为400 eV附近出现了新峰，该峰与U4f光电子结合能一致.通过C1s的高分辨光谱可知，材料表面的C主要有3种存在状态，即位于284.7 eV的C–C，位于286.0±0.3 eV的C=C以及位于288.5±0.3 eV的C–O.从O1s的高分辨光谱可知，材料表面的O主要有两种存在状态，即位于532.0±0.3 eV的–OH和位于533.0±0.3 eV的O=C（OH）（表5） .经硝酸处理后，C=C和O=C（OH）的相对含量降低而C–O和–OH的相对含量提升，表明在酸化过程中产生了大量的表面羟基（羧基）官能团.吸附了U（VI）之后，CG-AO-U中O=C（OH）的相对含量升高而CG–U中–OH的相对含量升高，表明前者的主要吸附机理可能是通过羧基与U（VI）形成表面配合物（O=C–O）2UO2，而后者的主要吸附机理可能是通过羧基与水的协同作用与U（VI）形成表面配合物O=C–OUO2（OH）.对于上述两种表面配合物，前者中U的光电子能量较高而后者的较低，图6（d）中观测到的U4f5/2和U4f7/2峰位置差异进一步证明了该推论[40].