《表1 MgO和MgF2掺杂的Al2O3陶瓷的微波介电性能(1550℃下烧结)》

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《MgO/MgF_2掺杂对Al_2O_3陶瓷烧结、显微结构及微波介电性能的影响》

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注:f为频率，εr为介电常数，tanδ为介电损耗，Q为谐振。

可能由于式（1）和式（2）中两种空位缺陷不同，导致二者介电损耗出现很大的差别，掺杂MgF2的样品介电损耗更高。