《表2 经不同预烧温度后在1100℃烧结6 h所得Zn Ti Nb2O8陶瓷的微波介电性能Tab.2 M icrow ave dielectric properties of Zn Ti Nb2O8c

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《ZnTiNb_2O_8微波介质陶瓷烧结工艺的研究》

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Q·f值主要受相对密度和晶粒尺寸的影响，在预烧温度为875℃时，虽然晶粒尺寸较大，但粉体活性高导致烧结后的陶瓷显微结构中出现过烧现象而使相对密度较低，随着预烧温度提高到900℃，晶粒生长良好，相对密度增大，Q·f值增加；但预烧温度高于900℃时，陶瓷相对密度降低，且平均晶粒尺寸减小使得晶界数目增加，从而使陶瓷的介电损耗增加，最终导致Q·f值降低。由于τf主要与材料的本身特性有关，预烧温度的提高没有改变试样的相组成，只有单一的Zn Ti Nb2O8相，故陶瓷的谐振频率温度系数τf基本没有变化，在-76#10-6℃-1上下波动。