《表6 在1100℃保温不同时间所得Zn Ti Nb2O8陶瓷的微波介电性能Tab.6 M icrow ave dielectric properties of Zn Ti Nb2O8ceramics

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《ZnTiNb_2O_8微波介质陶瓷烧结工艺的研究》

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表6为在1100℃保温不同时间所得Zn Ti Nb2O8陶瓷试样的微波介电性能。由表6可知，当保温时间低于6 h时，陶瓷中孔隙的存在使得陶瓷相对致密较低，故陶瓷的相对介电常数和品质因数较低；随着保温时间的延长，晶粒充分生长，孔隙消除，致密度提高，当保温6 h时，相对介电常数和品质因数达到最大值分别为36.72和47689 GHz。当保温时间为7 h时，晶粒均匀性差和相对密度降低，使得品质因数的值略有下降。保温时间的长短对陶瓷的频率温度系数几乎没有影响，τf变化很小。