《表1 MoO3陶瓷的介电性能》

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《乙酸溶液辅助超低温制备高密度α-MoO_3陶瓷》

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由表1可知，文献[13]采用冷烧结法（CSP），在水的辅助下，150℃/150 MPa，保温保压30 min制备出了相对密度为76.8%，εr为8.31，Qf值为900 GHz的MoO3陶瓷。本文采用超低温烧结法，在水的辅助下，200℃/250 MPa，保温保压30 min制备出了制备出了相对密度为85.23%，εr为8.42，Qf值为1021 GHz的MoO3陶瓷。说明提高压强和温度有利于提高陶瓷的相对密度和介电性能。在2mol/L乙酸，200℃/250 MPa的条件下，保温保压30 min，获得了相对密度高达96.85%，介电常数（εr）为8.71，Qf值为2336 GHz的MoO3陶瓷。乙酸辅助高密度MoO3陶瓷的性能优于水辅助烧结的MoO3陶瓷。这是由于陶瓷的相对密度提高，晶粒紧密相连，陶瓷的气孔和缺陷减少，提高了陶瓷的介电常数和Qf，降低了能量损耗。