《表2 PVDF基复合材料的介电性能》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《多尺度功能性填料PVDF基纳米复合材料的制备和性能》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

由表2和图7a可知，PVDF和PVDF基纳米复合材料的介电损耗随着介电填料的增加而增加。对比BT-10/PVDF、MWCNTs-1/PVDF纳米复合材料，相同填料含量的BT-10/PVDF在100 Hz频率下的介电损耗更低。在低频下，PVDF基复合材料的介电损耗主要来自于电导损耗。MWCNTs作为一种电学性能优良的一维碳系材料，与绝缘陶瓷BT相比更易形成导电通路，漏电流增多而介电损耗更大。对于BT-A/MWCNTs-B/PVDF复合材料，BT含量较高的对其介电损耗的影响更明显。可以看出，100 nm的BT具有更低的介电损耗，BT-10/MWCNTs-2/PVDF复合材料在100 Hz频率的介电损耗也仅为0.051。