《表2 ZnO基压敏陶瓷的微观电性能参数》

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《添加Bi_2WO_6对ZnO基压敏陶瓷电学性能的影响》

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根据陶瓷在不同偏压下的电容绘制了如图4所示的（1/C-1/2C0）2-Vgb关系曲线，并计算出各样品的晶界势垒高度（jb），施主浓度（Nd），界面态密度（Ns）和耗尽层宽度（t），列于表2。根据公式（4）～（7），晶界势垒高度（jb）分别与施主浓度（Nd）的减小和界面态密度（Ns）平方的增加呈正比。随着添加量的增加晶界势垒高度（jb）首先从4.97 eV下降到3.45 eV，因为施主浓度（Nd）从12.04×1024m-3下降到8.26×1024m-3。当添加量为x=7%时界面态密度（Ns）达到最大，晶界势垒高度（jb）达到极值11.52 eV，与非线性系数a相对应[21]。由于该添加量下出现的Bi2WO6相具有很高的离子电导率，为吸附氧提供了一个氧气传输通道。由于供给和吸附的氧越多在晶界区域形成的陷阱也就越多，因此提高了界面态密度（Ns）的值。随着添加量增加到x=9%，施主浓度（Nd）和界面态密度（Ns）分别减小到5.81×1024m-3和1.32×1017m-2。其原因是，过多的添加导致Bi2WO6相和Bi-rich相增多，使界面态密度和势垒高度降低。对电学性能的参数综合分析表明，添加量为x=7%可以得到电性能较高的ZnO基压敏陶瓷：E1mA=263 V/mm，a=53，JL=3.50μA/cm2，jb=11.52 eV。