《表1 ZnO基压敏陶瓷的宏观电性能参数》

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《添加Bi_2WO_6对ZnO基压敏陶瓷电学性能的影响》

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图2给出了不同Bi2WO6添加量的ZnO基压敏陶瓷的SEM照片，可观察到所有样品中清晰的晶粒和晶界，并发现其微观结构致密。根据图2可计算出样品的平均晶粒尺寸，列于表1。表1表明，随着Bi2WO6添加量的增加平均晶粒尺寸首先从5.86μm减小到4.42μm，然后增加到8.46μm，最后减小到6.22μm。这表明，Bi2WO6的添加影响了ZnO基压敏陶瓷晶粒的生长。根据对XRD的分析，当Bi2WO6的添加量为1%时，在Bi2WO6的作用下Bi3Sb3Zn2O14分解并与ZnO发生反应生成Zn7Sb2O12。Zn7Sb2O12钉扎在晶界处，阻碍了ZnO晶粒的生长[19]，因此晶粒尺寸略微减小。随着Bi2WO6的进一步添加出现了新的Bi-rich相，使Bi-rich液相含量明显提高，对ZnO压敏陶瓷的助烧作用随之提高，使ZnO晶粒的尺寸增大[17]。而当添加量过高（x=9%）时形成过多的Bi2WO6相，在晶界处析出且覆盖在ZnO晶粒上，阻碍了晶粒的生长。这些结果，与XRD的分析吻合。