《表1 不同工艺得到的SiC粉料中杂质的浓度》

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《6英寸高纯半绝缘SiC生长技术》

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为确认前处理工艺对粉料杂质浓度的影响，分别采用两组粉料进行合成。其中，一号粉料合成使用的石墨件及石墨粉未经过高温前处理，二号粉料合成使用的石墨材料经过高温处理。表1为不同工艺得到的SiC粉料中的杂质浓度，从表1中可以看出二号粉料的纯度明显优于一号粉料。杂质B、Al、V、Ti和N浓度的SIMS检测下限分别为1.00×1014、1.00×1014、5.00×1013、5.00×1013和1.00×1016 cm-3。因此，前处理工艺可以有效降低系统杂质背景浓度，从而提高粉料的纯度。