《表2 不同工艺得到的SiC晶体杂质的浓度》

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《6英寸高纯半绝缘SiC生长技术》

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为进一步确认前处理对晶体中杂质浓度的影响，同样进行两组晶体生长实验。一号晶体生长使用的是二号粉料和未经过高温前处理的石墨件，二号晶体生长使用的是二号粉料和经过高温前处理的石墨件。使用SIMS方法对不同工艺获得的SiC晶体中的杂质浓度进行检测，结果如表2所示，表中二号晶体的B浓度为4.24×1014 cm-3，Al、V、Ti和N四种杂质的浓度均在SIMS的检测极限以下，明显好于一号晶体，表明前处理工艺可显著降低晶体中的杂质浓度。