《表4 2018年国际企业最新推出的SiC晶体管产品》

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《2018全球第3代半导体产业发展回顾及展望》

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资料来源:CASA整理

目前，国际上已经商业化的SiCMOSFET目前最高耐压为1 700V，最高工作温度（100～160℃）下电流在65A以下（见图1）。目前，国际上商业化的SiC MOSFET耐压在1 700V以下，主要有650V、900V、1 200V和1 700V四个电压层次；最高工作温度（100～160℃）下SiC MOSFET的最大电流为65A（罗姆，650V/65A@100℃），阈值电压最高达到5.6V。业内生产SiC JFET的企业较少，Mouser上只有UnitedSiC在销售SiC JFET产品，耐压在650V、1200V，最高工作温度下的最大电流为62A（650V/62A@100℃）（见表4） 。