《表6 2018年国际企业最新推出GaN射频晶体管产品》

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《2018全球第3代半导体产业发展回顾及展望》

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资料来源:CASA整理

基于SiC基GaN的军用L波段射频晶体管的输出功率实现新高。2018年3月，Qorvo推出业内最高功率的GaN—on—SiC射频晶体管，在65V工作电压下输出功率达到1.8kW，工作频率在1.0～1.1GHz；2018年6月，在收购英飞凌的LDMOS和GaN射频业务后，Cree也推出L波段1.2kW GaN HEMT，这些器件均可用于L波段航空电子设备和敌我识别（IFF）应用领域（表6）。