《表4 样机实验数据:基于GaN器件的半桥式固态射频电源应用研究》
表4为样机工作时测量的实验数据。其中,Ud为输入电压,Iin为输入电流,Po为输出功率,η为效率,M为功率密度。
图表编号 | XD0048551900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.30 |
作者 | 谭平平、桂成东、姜力铭、陈文光 |
绘制单位 | 南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
表4为样机工作时测量的实验数据。其中,Ud为输入电压,Iin为输入电流,Po为输出功率,η为效率,M为功率密度。
图表编号 | XD0048551900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.30 |
作者 | 谭平平、桂成东、姜力铭、陈文光 |
绘制单位 | 南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院、南华大学电气工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |