《表1 感官评分标准：MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究》

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《MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究》

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辐射源为10 ke V X-ray射线，辐射剂量率为100 rad/s，射线从芯片表面垂直入射。辐射过程中Ga N器件的栅/源/漏三端的加电偏置条件如表1所示。Vg=Vs=Vd=0 V对应三端都接地的加电条件；Vg=+5 V，Vs=Vd=0 V对应栅极正向on偏置、源/漏两端接地的加电条件；Vg=-25 V，Vs=Vd=0 V对应栅极反向off偏置、源/漏两端接地的加电条件。辐射过程中，总剂量达到100 krad时，取出样品在非辐射环境下测试器件晶体管的Vd-Vg特性曲线，然后继续辐射，此间隔取出测试时间不超过1 min。依此流程，在总剂量达到300 krad和500 krad时，测试器件特性曲线。器件特性曲线在Kesight B1505A半导体参数测试仪上完成。