《表1 GaN HEMT寄生参数》
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《基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析》
GaN HEMT寄生参数由有限元仿真软件Ansoft Q3D Extractor[16]和器件数据手册[17]得到,如表1所示。
图表编号 | XD00172763100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.04.25 |
作者 | 高圣伟、祁树岭、孙醒涛、贺琛、董晨名 |
绘制单位 | 天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室、天津金沃能源科技股份有限公司、天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室、天津金沃能源科技股份有限公司、天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室、天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室、天津金沃能源科技股份有限公司、天津金沃能源科技股份有限公司 |
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