《表2 0.25μm栅长HEMT大信号模型参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

电路驱动比是影响芯片特性的一个重要因素[9]，当驱动比过小时，末级器件工作在过饱和区，功率增益会压缩，影响电路的效率特性。当驱动比过大时，驱动级电路的输出功率未能使末级器件达到饱和状态，影响最佳附加效率的输出，因此选择合适的驱动比可以改善电路的效率特性。图10为0.25μm GaN HEMT器件的大信号模型[10]，其大信号模型参数如表2所示。本文基于该大信号模型在ADS中进行大信号仿真和优化，固定前两级管芯栅宽，不断优化末级管芯总栅宽，发现当驱动比为4.5∶1时，可以得到最佳附加效率，比驱动比优化前提高了3%，如图11所示。