《表1 性能对比：0.1～6.0 GHz pHEMT达林顿放大器》

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《0.1～6.0 GHz pHEMT达林顿放大器》

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采用栅长为0.25μm的增强型pHEMT工艺制造了一款工作频段为0.1～6.0 GHz的共源共栅型达林顿放大器芯片。该芯片相较于传统达林顿放大器引入了共源共栅结构、有源偏置以及负反馈，具有更好的带宽特性和一致性、更好的噪声系数以及更高的效率，适用于4G、5G通信系统以及雷达收发组件等，对未来4G、5G通信系统的发展具有重大意义。