《表1 本文设计的E类功率放大器性能与各文献对比》

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《S波段高效E类GaN HEMT功率放大器设计》

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对E类功放调试完毕后进行测试，测试频率为2.5 GHz.直流偏置条件为:漏极供电电压（VDD）28 V，栅极供电电压（VG）-3 V.采用罗德施瓦茨公司（Rohde&Schwarz）的FSV40频谱仪对其连续波（CW）性能进行测量.图6是工作频率为2.5GHz时将输入功率从10 d Bm变化到30 d Bm的E类功放的输出功率（Pout），增益（Gain）和PAE的测试结果.测试结果表明，在饱和输出功率为40.1 d Bm时，达到峰值PAE为80%，功率增益为11.1 d B.表1将测试结果与近年来文献中报道的E类功放的各项指标进行了比较，可以看出所设计的E类功放的PAE具有明显优势.