《表1 本文设计与其他文献的对比结果》
本文带隙基准的版图设计如图8所示。为了减少寄生效应,PMOS管分布在版图的上部分,NMOS管分布在下部分,双极性晶体管Q1、Q2、Q3采用共质心匹配结构,整个版图设计的面积为331.795μm×213.1μm,约为0.07 mm2。
图表编号 | XD0016618500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.11.20 |
作者 | 蒋祥倩、杜西亮、毕克娜、邹丰谦 |
绘制单位 | 黑龙江大学电子工程学院、黑龙江大学电子工程学院、黑龙江大学电子工程学院、黑龙江大学电子工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |