《表1 本文与其他文献性能的对比》
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《基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器》
表1给出了本文设计的测试结果与其他文献中结果的对比.从表1中可以看出，本文基于SOI CMOS工艺，通过采用Stacked-FET结构的功率放大器和高Q螺旋电感，实现了较高的输出功率和较宽的频率调谐范围.
| 图表编号 | XD00160635300 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.06.25 |
| 作者 | 夏庆贞、李东泽、常虎东、孙兵、刘洪刚 |
| 绘制单位 | 中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心、中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心、中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心 |
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