《表1 本文设计的压控振荡器和其他文献中的压控振荡器的性能对比》

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《一种宽调谐范围的毫米波LC压控振荡器设计》

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通过对比可知，前后仿真性能曲线存在差异，MOS管的寄生电容、寄生电阻、噪声模型的不确定性及电感的寄生效应等因素均会影响电路的整体性能.表1给出了本设计中的压控振荡器的性能参数与其他报道文献的性能进行的对比，文献采用的工艺均为CMOS工艺，只是尺寸不同，频率均为毫米波.由表1可知，本设计中的压控振荡器相位噪声性能良好，虽然功耗比其他文献偏高，但是在调谐范围和芯片面积方面均有明显优势.

图表编号	XD00135555700 严禁用于非法目的
绘制时间	2020.01.30
作者	王敏、谢生、毛陆虹、刘一波、杜永超
绘制单位	天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津大学微电子学院、天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津大学微电子学院、天津大学电气自动化与信息工程学院、天津大学电气自动化与信息工程学院、天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津大学微电子学院
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