《表1 本设计性能总结及与其它毫米波功率放大器性能比较》

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《一款用于77/79 GHz汽车雷达的宽带功率放大器》

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采用55 nm CMOS工艺进行制造，图8给出了毫米波宽带PA芯片照片，芯片上下两边为电源焊盘，左右两边为GSG射频信号焊盘，输入信号经从左至右路径到达输出端，芯片核心部分面积为240μm×530μm。PA的小信号S参数测试结果如图9所示，3 dB带宽为74～83 GHz，80 GHz处小信号峰值增益为16.4 dB，PA同时具有良好的输入、输出匹配特性。图10给出了PA芯片的76、78和80 GHz大信号测试结果，PA在80 GHz频率处的饱和输出功率Psat达到15.5 dBm，效率PAEMAX为12.5%。表1为本文设计CMOS毫米波宽带PA与近几年来已发表文献的性能比较，本款芯片实现了最优的FOM1值和具有竞争力的FOM2值，FOM1值和FOM2值的具体表达式如表1中注释所示。FOM1值是ITRS给出的一个包含饱和输出功率、功率增益、功率附加效率以及中心频率的PA综合性能评价指标。相比FOM1值，FOM2值考虑了3 dB带宽与中心频率的比值。