《表1 Ga N HEMT器件最新参数指标对比》

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《GaN HEMT电力电子器件技术研究进展》

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为了对比目前Ga N HEMT器件的技术发展和参数指标，将相关文献中的最新研究现状概括如表1所示（“—”代表对应参数文献中未提及）。LEE等[49]采用周期重复的碳掺杂Ga N缓冲层结构以及Al Ga N背势垒层，得到的D型HEMT泄漏电流低至2×10-3μA；LIU等[56]以200 mm Si O2/Si为衬底制作的D型HEMT，击穿电压高达2200 V。