《表1 Al Ga N/Ga N HEMT外延片方块电阻的片内及片间均匀性测试》

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《AlGaN/GaN HEMT材料的高温MOCVD生长研究》

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进一步，对Al Ga N/Ga N HEMT外延片方块电阻的片内及片间均匀性进行了Hall测试，选取了同一炉的4片外延片，每片外延片测试5个点，选点规则与测试Al Ga N材料Al组分不均匀性一样，测试结果如表1所示。经计算，AlGa N/Ga N HEMT外延片方块电阻的片内不均匀性最大值为2.82%，方块电阻的片间不均匀性为3.92%。