《表1 InGaAs/InAlAs HEMT外延层结构》

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《蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究》

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同时如表1所示，设计在InGaAs/InAlAs界面处插入AlAs层来提高迁移率。由于Al与参与生长的其他原子物种相比具有最低的表面迁移率，所以AlAs层能够防止InGaAs/InAlAs界面处的互扩散效应，从而减少界面粗糙度和合金散射。另一方面，AlAs层也可以抑制Si向沟道层的扩散，从而降低杂质散射。实验最终得到室温下迁移率10289cm2/（V·s）的材料样片[12]。由于等离激元太赫兹器件面临的核心问题是等离激元的高损耗，因此高迁移率的半导体材料对提高器件的响应率有直接影响[2]。