《表1 外延结构参数表Tab.1 Parameters of the epitaxial structure》

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《高可靠性1060 nm单横模半导体激光器》

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In Ga As量子阱的应变量随In组分的增加而增大，很难在大应变下外延生长出较高质量的量子阱材料。为解决此问题，G.L.Liu等人[4]报道了通过对Al Ga As波导结构、组分、掺杂形貌及量子阱厚度的优化设计来获得高质量的In Ga As量子阱材料；W.Gao等人[5]在In Ga As量子阱生长时提高Ⅴ/Ⅲ比、优化生长温度，A.Pietrzak等人[6]在外延结构中设计应变补偿层来实现同样效果。本文设计了基于应变补偿量子阱结构的高可靠性1 060 nm单横模半导体激光器，在实现低阈值电流密度、高斜率效率的同时保证器件的可靠性。外延结构参数如表1所示。