《表1 三量子阱SLD的外延结构参数表Tab.1 The epitaxial structure parameters of the three-quantum-well SLD》

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《利用三量子阱结构拓宽1550nm InGaAlAs超辐射发光管光谱》

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设计的三量子阱SLD的结构和参数如图4和表1所示。外延片是金属有机化合物气相沉积（MOCVD）系统在n型重掺杂InP（110晶向）衬底上生长得到，量子阱生长温度为650℃，生长速率为0.9μm/h；其它层生长温度为710℃，生长速率为1.6μm/h。反应压力均为104 Pa。Ⅲ族源采用三甲基镓（TMGa），三甲基铝（TMAl）和三甲基铟（TMIn），载气采用H2，Ⅴ族源采用砷烷（AsH3），N型掺杂源为硅烷（SiH4），二乙基锌（DEZn）做P型掺杂源。