《表1 外延结构参数Tab.1 Parameters of the epitaxial structure》
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《L波段350 W AlGaN/GaN HEMT器件研制》
本文采用高纯半绝缘Si C作为衬底，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长了Al Ga N/Ga N外延材料，材料外延结构参数如表1所示，表中T为材料厚度。
| 图表编号 | XD00188430200 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.06.03 |
| 作者 | 张力江、默江辉、崔玉兴、付兴昌、李献杰、张彤 |
| 绘制单位 | 东南大学电子科学与技术学院、中国电子科技集团公司第十三研究所、专用集成电路重点实验室、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、东南大学电子科学与技术学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
