《表1 优化后的外延材料结构参数Tab.1 Parameters of the optimized epitaxial material structure》

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《10 Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器》

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吸收层厚度决定了耗尽区宽度，关系到器件的响应度与响应速度，是设计的关键点，由响应度与响应速度分析可知，吸收层厚度选择应在响应度和响应速度之间折中，在响应度满足使用要求的情况下，尽量提高响应速度，因此吸收层厚度选取2.2μm。首先，材料结构选用In P/In Ga As/In P双异质结，In Ga As吸收层上方为In P宽带隙材料，对波长为1.3和1.55μm的光可透，光生载流子只在In Ga As材料中产生，避免了耗尽层之外的光吸收对入射光产生损耗。其次，为减小键合电极电容，选用In P半绝缘衬底可提高器件工作速率。优化后的外延材料结构参数见表1，其中In Ga As P为欧姆接触层，In P为帽层，In Ga As为吸收层，n型掺杂In P为下电极层，半绝缘In P为衬底。