《表1 N2环境下PDA处理Hf O2MOSCAP性能参数Tab.1 Performance parameters of the Hf O2MOSCAP during the PDA process
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另外，N2环境中不同退火温度下的Hf O2栅介质的dEOT，Vfb和Ig如表1所示。可见，600℃退火时，MOSCAP的综合参数最优:dEOT=0.75 nm，Vfb=0.37 V，Ig=0.27 A/cm2。该条件为Hf O2栅介质最佳的PDA处理条件。
| 图表编号 | XD00188427100 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.04.03 |
| 作者 | 刘倩倩、魏淑华、杨红、张静、闫江 |
| 绘制单位 | 北方工业大学电子信息工程学院、中国科学院微电子研究所、北方工业大学电子信息工程学院、中国科学院微电子研究所、北方工业大学电子信息工程学院、北方工业大学电子信息工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
