《表1 250K下, 中长波铟砷锑 (InAs0.05Sb0.95) 探测器的参数指标Tab.1 Performance parameters of InAs0.05Sb0.95photoconduc

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《近室温工作的中长波InAsSb探测器》

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250K（-23℃）下，用一个温度为500K、调制频率为800 Hz的标准黑体源，在外加偏置电流10mA下，测量了铟砷锑（InAs0.05Sb0.95）探测器的性能。表1列出250K下，中长波铟砷锑光导型探测器的性能。表1中，Rd是探测器的电阻，VS为信号电压，Rbb为黑体响应率，Rλ为峰值响应率。由于系统噪声明显大于探测器的噪声，受系统噪声的影响，因此没能给出器件的噪声电压VN，应通过屏蔽，减小系统噪声，进一步测量探测器的噪声。