《表2 II类超晶格长波红外探测器的技术指标》

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《红外焦平面阵列探测器的研究进展》

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In As/Ga Sb II类超晶格材料自1987年就开始被应用于红外探测，它具有量子效率高，器件均匀性好，暗电流低以及覆盖光谱范围广（3μm～30μm）等优点。2006年，AIM和IAF公司开发出了384×288的II类超晶格中波双色探测器，其工作谱段为3μm～4μm和4μm～5μm，NETD分别达到12m K和22m K[8]。2009年，美国Raytheon和JPL研发了阵列规模为1024×1024的II类超晶格长波红外探测器，其探测率达到1.1×1011[9]。美国西北大学在2012年研发出了阵列规模为1024×1024的II类超晶格长波红外探测器，在温度为68m K时NETD达到22.5m K，量子效率约为78%。中国科学院半导体所等单位研制了640×512的II类超晶格长波红外探测器，其截止波长为10μm和16μm[10]；西安电子科技大学在2016年研究出了阵列规模为128×128的短波红外探测器[11]；上海技术物理研究所的陈建新、周易等研究人员也研制出了截止波长为12.50μm的长波In As/Ga SbⅡ类超晶格红外探测器[12]。上述研究结果表明，II类超晶格探测器在中波和长波红外谱段均具有低暗电流和高工作温度的优点，对于研制高灵敏度的长波红外探测系统具有及其重要的作用。其中，以上海技术物理研究所研制的II类超晶格长波红外探测器为例，其关键技术如表2所示。