《表1 长波红外量子阱材料的基本结构》

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《GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55μm红外焦平面探测器》

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采用GaAs/AlGaAs材料体系，利用分子束外延的方法在4 in（1 in=2.54 cm）的GaAs衬底上生长了50个周期的量子阱红外探测器结构。其基本结构如表1所示，利用AlGaAs层做势垒，GaAs层做势阱，用施主硅掺杂GaAs层提供势阱中的电子。此外，还有上下的重掺杂的欧姆接触层和背减薄用的腐蚀阻挡层等。