《表1 不同窗函数下影响参数对照表Tab.1 A comparison of performance factors for different w indow functions》
表1中,不难发现本文中改进的窗函数下的忆阻器模型的伏安特性更具有优越性,既解决了边界效应和“边界锁死”问题,还具有可调性和高灵活性,其伏安特性仿真结果与忆阻器内部离子实际迁移规律更相符。改变控制参数可使得忆阻特性更好地呈现出来。
图表编号 | XD0016829100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.11.05 |
作者 | 刘晓倩、孙岩洲、赵铁英 |
绘制单位 | 河南理工大学电气工程与自动化学院、河南理工大学电气工程与自动化学院、河南理工大学电气工程与自动化学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |