《表1 三个不同处理过程后太阳电池的电性能参数Tab.1 Electrical performance parameters of the solar cell after three differe

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《n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究》

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经35 k Wh/m2光辐照后对太阳电池片进行热退火处理，在380℃的低温下退火5 min，测试电池片在初始光照前、35 k Wh/m2光照及退火后3个过程的I-V数据，如图5所示，各过程电池片的电性能参数如表1所示。从图5和表1中可以看出，经过35 k Wh/m2光辐照后电池片效率发生较大衰减，经低温退火处理后电池Voc，Isc和ηeff基本能恢复到初始值，但都没有完全恢复。因为界面状态不稳定，光照导致Si N∶H/Si界面态密度增加，破坏了钝化层[16-17]。